Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
122 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC
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$ 0,865
Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPB023N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 122 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos
800
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Each (On a Reel of 800) (Sin IVA)
MOSFET Infineon IPB023N04NF2SATMA1, VDSS 40 V, ID 122 A, PG-TO263-3 de 3 pines, 2elementos
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800
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
800 - 800 | $ 0,865 | $ 692,00 |
1600+ | $ 0,821 | $ 656,94 |
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InfineonTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
122 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
PG-TO263-3
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC