MOSFET Infineon BSS123NH6433XTMA1, VDSS 100 V, ID 190 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 826-9317Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: BSS123NH6433XTMA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

190 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-100 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,6 nC a 10 V

Profundidad

1.3mm

Material del transistor

Si

Serie

OptiMOS

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1mm

Datos del producto

MOSFETs de señal pequeña Infineon OptiMOS™

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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2500 - 4500€ 0,081€ 40,35
5000 - 12000€ 0,075€ 37,42
12500+€ 0,07€ 35,08

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N

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SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

500 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,6 nC a 10 V

Profundidad

1.3mm

Material del transistor

Si

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Altura

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