MOSFET Vishay TP0610K-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 185 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
185 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,7 nC a 15 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.02mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 39,47
€ 0,197 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
200
€ 39,47
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Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
200
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 200 - 480 | € 0,197 | € 3,95 |
| 500 - 980 | € 0,178 | € 3,56 |
| 1000 - 1980 | € 0,167 | € 3,35 |
| 2000+ | € 0,157 | € 3,14 |
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P
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
10 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
350 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
1.4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,7 nC a 15 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.02mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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