MOSFET Vishay TP0610K-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 185 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 787-9018PMarca: VishayNúmero de parte de fabricante: TP0610K-T1-GE3
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Vishay

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

185 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

10 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Profundidad

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,7 nC a 15 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.02mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor

MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor

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€ 4,06

€ 0,203 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)

MOSFET Vishay TP0610K-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 185 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
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Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20€ 4,06
40€ 8,13
60€ 12,19
80€ 16,26
100€ 20,32
120€ 24,39
140€ 28,45
160€ 32,52
180€ 36,58
200€ 40,65
220€ 44,71
240€ 48,78
260€ 52,84
280€ 56,91
300€ 60,97

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3

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10 Ω

Modo de Canal

Mejora

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1V

Disipación de Potencia Máxima

350 mW

Configuración de transistor

Single

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1.4mm

Material del transistor

Si

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Longitud

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