Vishay SQ Rugged N-Channel MOSFET, 40 A, 60 V, 3-Pin DPAK SQD40N06-14L_GE3
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
SQ Rugged
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
29 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
75 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
6.22mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.73mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
34 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.38mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Estándar de automoción
AEC-Q101
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie SQ resistente para automoción, Vishay Semiconductor
La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.
Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes
• Certificación AEC-Q101
• Temperatura de unión hasta +175 °C
• Tecnologías TrenchFET® de canal n y p de baja resistencia
• Opciones de encapsulado innovadoras de ahorro de espacio
Approvals
AEC-Q101
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 0,501 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
75 W
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
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Material del transistor
Si
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Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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Datos del producto
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La serie SQ de MOSFET de Vishay Semiconductor está diseñada para todas las aplicaciones de automoción que requieren resistencia y alta fiabilidad.
Ventajas de los MOSFET serie SQ resistentes
• Certificación AEC-Q101
• Temperatura de unión hasta +175 °C
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