Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Series
SQ Rugged
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
78 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
3.1mm
Anchura
1.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P, serie SQ resistente, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1,71
€ 0,171 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
€ 1,71
€ 0,171 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
10
Información de stock no disponible temporalmente.
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
7.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
TSOP-6
Series
SQ Rugged
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
78 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.5V
Disipación de Potencia Máxima
5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 4,5 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+175 °C
Longitud
3.1mm
Anchura
1.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto