MOSFET Vishay SiSS61DN-T1-GE3, VDSS 20 V, ID 111.9 A, PowerPAK 1212-8S de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
111.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
PowerPAK 1212-8S
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9.8 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
65.8 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
3.3mm
Longitud
3.3mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
154 nC @ 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
0.78mm
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€ 1.148,09
€ 0,383 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
8
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
0.9V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.4V
Disipación de Potencia Máxima
65.8 W
Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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1
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3.3mm
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
154 nC @ 10 V
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