MOSFET Vishay SIHB28N60EF-GE3, VDSS 600 V, ID 28 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
28 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
EF Series
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
123 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
250000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
9.65mm
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
80 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor
Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
Bajo factor de mérito (FOM)
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
Mayor solidez por la baja carga de recuperación inversa
Carga de compuerta (Qg) ultrabaja
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 2.827,65
€ 2,828 Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (Sin IVA)
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
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Profundidad
9.65mm
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
4.83mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N con diodo rápido, serie EF, Vishay Semiconductor
Menor tiempo de recuperación inversa, carga de recuperación inversa y corriente de recuperación inversa
Bajo factor de mérito (FOM)
Baja capacitancia de entrada (Ciss)
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