MOSFET Vishay SI4948BEY-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 3,1 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.1 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.4 W
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Altura
1.5mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal P doble, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 2,05
€ 0,411 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
5
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Información de stock no disponible temporalmente.
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.4 W
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
14,5 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Profundidad
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Si
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