MOSFET Vishay SI4124DY-T1-GE3, VDSS 40 V, ID 20 A, SOIC de 8 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
5.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
51 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
€ 13,19
€ 1,319 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
€ 13,19
€ 1,319 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Estándar
10
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 1,319 | € 13,19 |
| 50 - 90 | € 1,24 | € 12,40 |
| 100 - 240 | € 1,122 | € 11,22 |
| 250 - 490 | € 1,056 | € 10,56 |
| 500+ | € 0,99 | € 9,90 |
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
5.7 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
51 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Material del transistor
Si
Profundidad
4mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
1.55mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
Ideate. Create. Collaborate
JOIN FOR FREE
No hidden fees!
- Download and use our DesignSpark software for your PCB and 3D Mechanical designs
- View and contribute website content and forums
- Download 3D Models, Schematics and Footprints from more than a million products