MOSFET Vishay SI2343CDS-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 4,7 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,6 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 7,89
€ 0,395 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
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Información de stock no disponible temporalmente.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,395 | € 7,89 |
| 200 - 480 | € 0,297 | € 5,93 |
| 500 - 980 | € 0,245 | € 4,89 |
| 1000 - 1980 | € 0,209 | € 4,18 |
| 2000+ | € 0,205 | € 4,11 |
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
75 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
2.5 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Material del transistor
Si
Profundidad
1.4mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
3.04mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
13,6 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.02mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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