Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
400 mA, 700 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.48 Ω, 578 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
340 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,2 nC a 10 V, 1,9 nC a 10 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canales N/P dobles, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 6,83
€ 0,341 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
€ 6,83
€ 0,341 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
20
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Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N, P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
400 mA, 700 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.48 Ω, 578 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
340 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
2.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,2 nC a 10 V, 1,9 nC a 10 V
Profundidad
1.35mm
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
1mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto