Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
280000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Profundidad
5.31mm
Altura
20.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 300 V a 400 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 1,36
€ 1,36 Each (Supplied in a Bag) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Bolsa)
1
€ 1,36
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Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Bolsa)
1
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Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
400 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
280000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
110 nC a 10 V
Profundidad
5.31mm
Altura
20.7mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto