Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
230000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Profundidad
5.31mm
Altura
20.82mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 60 V a 90 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
€ 35,96
€ 3,596 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
€ 35,96
€ 3,596 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Tubo)
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
10 - 20 | € 3,596 | € 17,98 |
25 - 45 | € 3,347 | € 16,73 |
50 - 120 | € 3,141 | € 15,71 |
125+ | € 2,717 | € 13,58 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
70 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
TO-247AC
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
14 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
230000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.87mm
Profundidad
5.31mm
Altura
20.82mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto