MOSFET Vishay IRFD9020PBF, VDSS 60 V, ID 1,6 A, HVMDIP de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
3.37mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
6.3V
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal P, de 30 V a 80 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 13,91
€ 1,391 Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
Estándar
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 10 - 90 | € 1,391 | € 13,91 |
| 100 - 240 | € 1,363 | € 13,63 |
| 250 - 490 | € 1,182 | € 11,82 |
| 500 - 990 | € 1,126 | € 11,26 |
| 1000+ | € 0,916 | € 9,16 |
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
280 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.29mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
19 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
3.37mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
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