MOSFET Vishay IRFD120PBF, VDSS 100 V, ID 1,3 A, HVMDIP de 4 pines, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
VishayTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
1.3 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.29mm
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
3.37mm
Datos del producto
MOSFET de canal N, de 100 V a 150 V, Vishay Semiconductor
MOSFET Transistors, Vishay Semiconductor
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€ 42,47
€ 0,425 Each (In a Tube of 100) (Sin IVA)
100
€ 42,47
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100
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 100 - 100 | € 0,425 | € 42,47 |
| 200 - 400 | € 0,399 | € 39,89 |
| 500+ | € 0,361 | € 36,14 |
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Tipo de Encapsulado
HVMDIP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
270 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
1.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
6.29mm
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
16 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
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