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MOSFET Toshiba TK62N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 827-6255Marca: ToshibaNúmero de parte de fabricante: TK62N60W,S1VF(S
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Toshiba

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

62 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

TK

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

400000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Profundidad

5.02mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

15.94mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

180 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

20.95mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba

MOSFET Transistors, Toshiba

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€ 16,83

€ 16,83 Each (Sin IVA)

MOSFET Toshiba TK62N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
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Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

Disponible en múltiplos de 1
1€ 16,83
2€ 33,66
3€ 50,49
4€ 67,32
5€ 84,15
6€ 100,97
7€ 117,80
8€ 134,63
9€ 151,46
10€ 131,69
11€ 144,85
12€ 158,02
13€ 171,19
14€ 184,36
15€ 197,53

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
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10 - 49€ 13,17
50 - 99€ 12,84
100 - 199€ 12,50
200+€ 12,18

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N

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TK

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.7V

Disipación de Potencia Máxima

400000 mW

Configuración de transistor

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Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Material del transistor

Si

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