MOSFET Toshiba TK62N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 62 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
62 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
TK
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
400000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.94mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
180 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.02mm
Altura
20.95mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, series TK6 y TK7, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 311,30
€ 10,377 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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Información de stock no disponible temporalmente.
30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 120 | € 10,377 | € 311,30 |
| 150 - 270 | € 9,339 | € 280,17 |
| 300+ | € 8,779 | € 263,38 |
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Series
TK
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
400000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
15.94mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
180 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
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Altura
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