MOSFET Toshiba TK35E08N1, VDSS 80 V, ID 55 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
55 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
12.2 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
72000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.45mm
Longitud
10.16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
15.1mm
País de Origen
Japan
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK3x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 34,11
€ 0,682 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Disipación de Potencia Máxima
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
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Profundidad
4.45mm
Longitud
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Temperatura máxima de funcionamiento
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