MOSFET Toshiba TK20N60W,S1VF(S, VDSS 600 V, ID 20 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
155 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
165 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
5.02mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.94mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.95mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de canal N, serie TK2x, Toshiba
MOSFET Transistors, Toshiba
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€ 83,90
€ 4,195 Each (Supplied in a Bag) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Bolsa)
20
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Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Bolsa)
20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Bolsa |
|---|---|---|
| 20 - 38 | € 4,195 | € 8,39 |
| 40 - 72 | € 3,687 | € 7,38 |
| 74 - 148 | € 3,485 | € 6,97 |
| 150+ | € 3,393 | € 6,79 |
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N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
20 A
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Series
TK
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
155 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Disipación de Potencia Máxima
165 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
5.02mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.94mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
48 nC a 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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