MOSFET Toshiba SSM6N7002KFU, VDSS 60 V, ID 300 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ToshibaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
300 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Tipo de Encapsulado
SOT-363
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.75 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
1.25mm
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,39 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
0.9mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
Thailand
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€ 124,79
€ 0,042 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
3000
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3000
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | € 0,042 | € 124,79 |
| 6000 - 6000 | € 0,039 | € 117,66 |
| 9000+ | € 0,036 | € 106,96 |
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Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.75 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.1V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
2
Profundidad
1.25mm
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,39 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Tensión de diodo directa
1.1V
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