MOSFET STMicroelectronics STW48NM60N, VDSS 600 V, ID 39 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
39 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
255000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
5.15mm
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
124 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 131,64
€ 4,388 Each (In a Tube of 30) (Sin IVA)
30
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30
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 30 - 30 | € 4,388 | € 131,64 |
| 60+ | € 4,169 | € 125,06 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
255000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Número de Elementos por Chip
1
Ancho
5.15mm
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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