MOSFET STMicroelectronics STW24N60M2, VDSS 650 V, ID 18 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
TO-247
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
150000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Profundidad
5.15mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
15.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
29 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
20.15mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 13,67
€ 2,734 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
Estándar
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 2,734 | € 13,67 |
| 25 - 45 | € 2,598 | € 12,99 |
| 50 - 120 | € 2,337 | € 11,69 |
| 125 - 245 | € 2,105 | € 10,52 |
| 250+ | € 1,999 | € 10,00 |
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Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
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Configuración de transistor
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Tensión Máxima Puerta-Fuente
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Profundidad
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Si
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
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Mínima Temperatura de Funcionamiento
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