MOSFET STMicroelectronics STW11NM80, VDSS 800 V, ID 11 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 760-9768Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: STW11NM80
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

11 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

800 V

Series

MDmesh

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

400 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

43,6 nC a 10 V

Anchura

5.15mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Largo

15.75mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Altura

20.15mm

Temperatura Mínima de Operación

-65 °C

Datos del producto

MDmesh™ de canal N, 800 V/1500 V, STMicroelectronics

MOSFET Transistors, STMicroelectronics

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Producción -

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Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

1

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1€ 5,66
2€ 11,31
3€ 16,97
4€ 22,63
5€ 28,28
6€ 33,94
7€ 39,60
8€ 45,26
9€ 50,91
10€ 47,92
11€ 52,71
12€ 57,50
13€ 62,30
14€ 67,09
15€ 71,88

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CantidadPrecio Unitario sin IVA
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10 - 99€ 4,79
100 - 499€ 3,83
500 - 999€ 3,72
1000+€ 3,65

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N

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MDmesh

Tipo de Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

400 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

150 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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43,6 nC a 10 V

Anchura

5.15mm

Material del transistor

Si

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