MOSFET STMicroelectronics STP20NF20, VDSS 200 V, ID 18 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
18 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
15.75mm
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 59,42
€ 1,188 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,188 | € 59,42 |
| 100 - 200 | € 0,99 | € 49,50 |
| 250+ | € 0,966 | € 48,31 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
125 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
110 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
28 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Altura
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