MOSFET STMicroelectronics STF24NM60N, VDSS 650 V, ID 17 A, TO-220FP de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
17 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh
Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
16.4mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N, 600 V/650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 117,66
€ 2,353 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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Información de stock no disponible temporalmente.
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 2,353 | € 117,66 |
| 100 - 450 | € 1,947 | € 97,35 |
| 500 - 950 | € 1,896 | € 94,81 |
| 1000 - 4950 | € 1,847 | € 92,33 |
| 5000+ | € 1,80 | € 90,02 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220FP
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
190 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
30000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
4.6mm
Longitud
10.4mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
46 nC a 10 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
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