MOSFET STMicroelectronics STE40NC60, VDSS 600 V, ID 40 A, ISOTOP de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
-40 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Series
MDmesh, SuperMESH
Tipo de Encapsulado
ISOTOP
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
460000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
25.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
38.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
307,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
9.1mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Datos del producto
MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 314,44
€ 31,444 Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)
10
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 10 - 40 | € 31,444 | € 314,44 |
| 50 - 90 | € 30,029 | € 300,29 |
| 100 - 190 | € 26,476 | € 264,76 |
| 200 - 490 | € 24,717 | € 247,17 |
| 500+ | € 22,954 | € 229,54 |
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N
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Tipo de Encapsulado
ISOTOP
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
130 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
460000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-30 V, +30 V
Profundidad
25.5mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
38.2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
307,5 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
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Temperatura Mínima de Funcionamiento
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