MOSFET STMicroelectronics STD9N60M2, VDSS 650 V, ID 5,5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
5.5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Series
MDmesh M2
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
780 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
60000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-25 V, +25 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Profundidad
6.2mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
2.4mm
Datos del producto
MDmesh™ de canal N serie M2, STMicroelectronics
Una gama de MOSFET de potencia de alta tensión de STMicroelectronics. Gracias a su carga de compuerta baja y a sus excelentes características de capacitancia, la serie MDmesh M2 es perfecta para su uso en fuentes de conmutación de tipo resonante (convertidores LLC).
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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Si
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Profundidad
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Temperatura de Funcionamiento Mínima
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Altura
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