MOSFET STMicroelectronics STB16NF06LT4, VDSS 60 V, ID 16 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
16 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
60 V
Series
STripFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
100 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Longitud
10.75mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
7,3 nC a 4,5 V
Material del transistor
Si
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
10.4mm
Altura
4.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
STripFET™ de canal N, STMicroelectronics
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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€ 639,41
€ 0,639 Each (On a Reel of 1000) (Sin IVA)
1000
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Si
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