Transistor Darlington, BD682, PNP 4 A, 100 V, HFE:750, SOT-32, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
4 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
7.8mm
Profundidad
2.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
10.8mm
Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ST Microelectronics
Bipolar Transistors, STMicroelectronics
A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.
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€ 3,93
€ 0,787 Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)
5
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 5 - 20 | € 0,787 | € 3,93 |
| 25 - 45 | € 0,739 | € 3,70 |
| 50 - 120 | € 0,699 | € 3,49 |
| 125 - 245 | € 0,666 | € 3,33 |
| 250+ | € 0,628 | € 3,14 |
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100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
SOT-32
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Configuración de transistor
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
750
Tensión Base Máxima del Colector
100 V
Tensión de Saturación Máxima Colector-Emisor
2.5 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
0.2mA
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
7.8mm
Profundidad
2.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-65 °C
Altura
10.8mm
Dimensiones
7.8 x 2.7 x 10.8mm
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