MOSFET ROHM SCT2H12NZGC11, VDSS 1700 V, ID 3,7 A, TO-3PFM de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 133-2860PMarca: ROHMNúmero de parte de fabricante: SCT2H12NZGC11
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3.7 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

1700 V

Tipo de Encapsulado

TO-3PFM

Series

SCT2H12NZ

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.6V

Disipación de Potencia Máxima

35000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-6 V, +22 V

Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

5mm

Longitud

16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 18 V

Tensión de diodo directa

4.3V

Altura

21mm

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal N, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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€ 67,51

€ 6,751 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Tubo
10 - 18€ 6,751€ 13,50
20 - 98€ 6,717€ 13,43
100 - 198€ 6,642€ 13,28
200+€ 6,521€ 13,04

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N

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Tensión Máxima Drenador-Fuente

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TO-3PFM

Series

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Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.6V

Disipación de Potencia Máxima

35000 mW

Configuración de transistor

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Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Material del transistor

Si

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

5mm

Longitud

16mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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