Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1700 V
Tipo de Encapsulado
TO-3PFM
Series
SCT2H12NZ
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.6V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +22 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5mm
Longitud
16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 18 V
Tensión de diodo directa
4.3V
Altura
21mm
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal N, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 67,51
€ 6,751 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Tubo)
10
€ 67,51
€ 6,751 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Tubo)
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
---|---|---|
10 - 18 | € 6,751 | € 13,50 |
20 - 98 | € 6,717 | € 13,43 |
100 - 198 | € 6,642 | € 13,28 |
200+ | € 6,521 | € 13,04 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
3.7 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1700 V
Tipo de Encapsulado
TO-3PFM
Series
SCT2H12NZ
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.5 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.6V
Disipación de Potencia Máxima
35000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-6 V, +22 V
Material del transistor
Si
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5mm
Longitud
16mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
14 nC a 18 V
Tensión de diodo directa
4.3V
Altura
21mm
Datos del producto