Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
RZM001P02
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Profundidad
0.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
1.3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.45mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
€ 6,01
€ 0,048 Each (In a Pack of 125) (Sin IVA)
125
€ 6,01
€ 0,048 Each (In a Pack of 125) (Sin IVA)
125
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
---|---|---|
125 - 500 | € 0,048 | € 6,01 |
625 - 1125 | € 0,046 | € 5,72 |
1250 - 3000 | € 0,041 | € 5,13 |
3125 - 6125 | € 0,04 | € 4,99 |
6250+ | € 0,039 | € 4,84 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Series
RZM001P02
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.3V
Disipación de Potencia Máxima
150 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±10 V
Profundidad
0.9mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
1.3mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Altura
0.45mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto