MOSFET ROHM RU1C001UNTCL, VDSS 20 V, ID 100 mA, SOT-323 de 3 pines

Código de producto RS: 124-6834Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: RU1C001UNTCL
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-323

Series

RU1C001UN

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

Ω18

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

150 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

1.35mm

Longitud

2.1mm

Temperatura Mínima de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

1mm

País de Origen

Thailand

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal N, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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Each (In a Pack of 150) (Sin IVA)

MOSFET ROHM RU1C001UNTCL, VDSS 20 V, ID 100 mA, SOT-323 de 3 pines

150

Disponible en múltiplos de 150
150Price on asking
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Tipo de Encapsulado

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Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

Ω18

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

150 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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1.35mm

Longitud

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Temperatura Mínima de Funcionamiento

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