MOSFET ROHM RQ5E040RPTL, VDSS 30 V, ID 4 A, TSMT-3 de 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.0 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
RRR040P03
Tipo de Encapsulado
TSMT-3
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
72 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
1.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,5 nC a 5 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
0.85mm
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
Transistores MOSFET de canal P, ROHM
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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€ 26,92
€ 0,269 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
100
€ 26,92
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Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
100
Información de stock no disponible temporalmente.
| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
|---|---|---|
| 100 - 180 | € 0,269 | € 5,38 |
| 200 - 480 | € 0,262 | € 5,25 |
| 500 - 980 | € 0,255 | € 5,11 |
| 1000+ | € 0,25 | € 4,99 |
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Corriente Máxima Continua de Drenaje
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Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
RRR040P03
Tipo de Encapsulado
TSMT-3
Tipo de Montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
72 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
1 W
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Anchura
1.6mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Largo
2.9mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
10,5 nC a 5 V
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Altura
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