MOSFET ROHM RE1C001ZPTL, VDSS 20 V, ID 100 mA, SC-75 de 3 pines

Código de producto RS: 124-6783Marca: ROHMNúmero de parte de fabricante: RE1C001ZPTL
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ROHM

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

100 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SC-75

Series

RE1C001ZP

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

150 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Longitud

1.7mm

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Profundidad

0.9mm

Altura

0.7mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

Transistores MOSFET de canal P, ROHM

MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor

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$ 7,85

$ 0,063 Each (In a Pack of 125) (Sin IVA)

MOSFET ROHM RE1C001ZPTL, VDSS 20 V, ID 100 mA, SC-75 de 3 pines

125

Disponible en múltiplos de 125
125$ 7,85
250$ 15,70
375$ 23,55
500$ 31,40
625$ 38,41
750$ 46,10
875$ 53,78
1000$ 61,46
1125$ 69,14
1250$ 73,49
1375$ 80,83
1500$ 88,18
1625$ 95,53
1750$ 102,88
1875$ 110,23

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Pack
125 - 500$ 0,063$ 7,85
625 - 1125$ 0,061$ 7,68
1250 - 3000$ 0,059$ 7,35
3125 - 6125$ 0,057$ 7,18
6250+$ 0,056$ 7,02

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Tipo de Encapsulado

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Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

40 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.3V

Disipación de Potencia Máxima

150 mW

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Longitud

1.7mm

Temperatura Máxima de Operación

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Profundidad

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Altura

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