Módulo de potencia SiC ROHM BSM180D12P3C007, VDSS 1.200 V, ID 180 A, C de 4 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ROHMTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
1200 V
Series
BSM
Tipo de Encapsulado
c
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.7V
Disipación de Potencia Máxima
880 W
Profundidad
45.6mm
Longitud
122mm
Número de Elementos por Chip
2
Material del transistor
SiC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
17mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
País de Origen
Japan
Datos del producto
SiC Power Modules, ROHM
The Module consists of a Silicon-Carbide (SiC) DMOS Power FET Devices with a Schottky Barrier Diode (SBD) across the Drain and Source.
MOSFET Transistors, ROHM Semiconductor
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€ 627,54
€ 627,54 Each (Sin IVA)
1
€ 627,54
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Información de stock no disponible temporalmente.
1
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 1 | € 627,54 |
| 2 - 4 | € 611,03 |
| 5 - 9 | € 595,37 |
| 10+ | € 580,48 |
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Tipo de Encapsulado
c
Tipo de montaje
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Conteo de Pines
4
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
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880 W
Profundidad
45.6mm
Longitud
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Número de Elementos por Chip
2
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SiC
Máxima Temperatura de Funcionamiento
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Altura
17mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
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