MOSFET onsemi NVMFS4C310NT1G, VDSS 30 V, ID 51 A, DFN de 6 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
51 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
NVMFS4C310N
Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
32 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.1mm
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,7 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Altura
1.05mm
Estándar de automoción
AEC-Q101
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€ 50,75
€ 1,015 Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
Estándar
50
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Estándar
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 50 - 450 | € 1,015 | € 50,74 |
| 500 - 950 | € 0,874 | € 43,70 |
| 1000+ | € 0,758 | € 37,90 |
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Tipo de Encapsulado
DFN
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
9 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.3V
Disipación de Potencia Máxima
32 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
5.1mm
Longitud
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
9,7 nC a 4,5 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
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Tensión de diodo directa
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