MOSFET onsemi NTF6P02T3G, VDSS 20 V, ID 8,4 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
8.4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
8.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
3.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.65mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P, 20 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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€ 10,59
€ 0,53 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
Estándar
20
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Información de stock no disponible temporalmente.
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 180 | € 0,53 | € 10,60 |
| 200 - 480 | € 0,457 | € 9,14 |
| 500+ | € 0,397 | € 7,94 |
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Tipo de Encapsulado
SOT-223
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
70 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
8.3 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Profundidad
3.7mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
6.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
15 nC a 4,5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
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