Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
222 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.9mm
Largo
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
108 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
16.07mm
País de Origen
China
€ 2.313,71
€ 2,314 Each (In a Tube of 1000) (Sin IVA)
1000
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Información de stock no disponible temporalmente.
1000
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onsemiTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
222 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
100 V
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.3 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
45000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Anchura
4.9mm
Largo
10.36mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
108 nC a 10 V
Temperatura Máxima de Operación
+175 °C
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.3V
Altura
16.07mm
País de Origen
China