Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
420
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 40 V a 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
€ 58,86
€ 0,059 Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (Sin IVA)
1000
€ 58,86
€ 0,059 Cada Uno (En una Bolsa de 1000) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
1000
Información de stock no disponible temporalmente.
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
100 mA
Tensión Máxima Colector-Emisor
45 V
Tipo de Encapsulado
TO-92
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
420
Configuración de transistor
Single
Tensión Base Máxima del Colector
50 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Frecuencia Máxima de Funcionamiento
1 MHz
Conteo de Pines
3
Número de Elementos por Chip
1
Dimensiones
4.58 x 3.86 x 4.58mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Datos del producto
Transistores NPN de pequeña señal, 40 V a 50 V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.