MOSFET Nexperia PSMN1R2-30YLC,115, VDSS 30 V, ID 100 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
LFPAK, SOT-669
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
4
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
1.65 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.95V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.05V
Disipación de Potencia Máxima
215 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
78 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Profundidad
4.1mm
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
5mm
Material del transistor
Si
Altura
1.1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
País de Origen
Philippines
Datos del producto
MOSFET de canal N, hasta 30V
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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€ 7,13
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Carga Típica de Puerta @ Vgs
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Temperatura máxima de funcionamiento
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