MOSFET IXYS IXFN48N60P, VDSS 600 V, ID 40 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 920-0767Marca: IXYSNúmero de parte de fabricante: IXFN48N60P
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

IXYS

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Series

HiperFET, Polar

Tipo de Encapsulado

SOT-227

Tipo de montaje

Screw Mount

Conteo de Pines

4

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

140 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

5.5V

Disipación de Potencia Máxima

625000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Profundidad

25.42mm

Material del transistor

Si

Longitud

38.23mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

150 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Número de Elementos por Chip

1

Altura

9.6mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™

MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS

MOSFET Transistors, IXYS

A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS

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€ 230,88

€ 23,088 Each (In a Tube of 10) (Sin IVA)

MOSFET IXYS IXFN48N60P, VDSS 600 V, ID 40 A, SOT-227 de 4 pines, , config. Simple

10

Disponible en múltiplos de 10
10€ 230,88
20€ 461,76
30€ 692,63
40€ 923,51
50€ 1.154,39
60€ 1.385,27
70€ 1.616,15
80€ 1.847,02
90€ 2.077,90
100€ 2.308,78
110€ 2.539,66
120€ 2.770,54
130€ 3.001,41
140€ 3.232,29
150€ 3.463,17

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Mejora

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Si

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