MOSFET IXYS IXFH96N20P, VDSS 200 V, ID 96 A, TO-247 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
IXYSTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
96 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-200 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
HiperFET, Polar
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
24 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
5V
Disipación de Potencia Máxima
600000 mW
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Longitud
16.26mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs
145 nC a 10 V
Profundidad
5.3mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Altura
21.46mm
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, IXYS HiperFET™ serie Polar™
MOSFET de potencia de canal N con diodo rápido intrínseco (HiPerFET™) de IXYS
MOSFET Transistors, IXYS
A wide range of advanced discrete Power MOSFET devices from IXYS
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€ 5,57
€ 5,57 Each (Sin IVA)
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA |
|---|---|
| 1 - 4 | € 5,57 |
| 5 - 19 | € 5,34 |
| 20 - 49 | € 5,20 |
| 50 - 99 | € 5,07 |
| 100+ | € 4,94 |
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Mejora
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5V
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Longitud
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Temperatura máxima de funcionamiento
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Profundidad
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Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
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Temperatura Mínima de Operación
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