MOSFET Infineon SPP80P06PHXKSA1, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 914-0194PMarca: InfineonNúmero de parte de fabricante: SPP80P06PHXKSA1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

80 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

60 V

Series

SIPMOS®

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

23 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

340 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Profundidad

4.57mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.36mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

115 nC a 10 V

Altura

15.95mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.6V

Datos del producto

MOSFET de canal P Infineon SIPMOS®

Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
· chapado de plomo sin plomo, conforme con RoHS

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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$ 86,58

$ 3,463 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

MOSFET Infineon SPP80P06PHXKSA1, VDSS 60 V, ID 80 A, TO-220 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Empaque de Producción (Tubo)

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 5.

Producción -

Disponible en múltiplos de 5.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 5
25$ 86,58
30$ 103,90
35$ 121,21
40$ 138,53
45$ 155,84
50$ 161,53
55$ 177,69
60$ 193,84
65$ 209,99
70$ 226,15
75$ 242,30
80$ 258,46
85$ 274,61
90$ 290,76
95$ 306,92

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$ 3,463 Each (Supplied in a Tube) (Sin IVA)

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Producción -

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25

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30$ 103,90
35$ 121,21
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45$ 155,84
50$ 161,53
55$ 177,69
60$ 193,84
65$ 209,99
70$ 226,15
75$ 242,30
80$ 258,46
85$ 274,61
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Tubo
25 - 45$ 3,463$ 17,32
50 - 120$ 3,231$ 16,15
125 - 245$ 3,001$ 15,00
250+$ 2,771$ 13,86

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P

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60 V

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SIPMOS®

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

23 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

340 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Profundidad

4.57mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.36mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

115 nC a 10 V

Altura

15.95mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.6V

Datos del producto

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Los MOSFET pequeños de canal P de señales Infineon SIPMOS® tienen varias características como modo de mejora, corriente de consumo continua, algunos tan baja como -80 A, y un amplio rango de temperaturas de funcionamiento. El transistor de potencia SIPMOS se puede usar en muchas aplicaciones, como telecomunicaciones, eMobility, ordenadores portátiles, dispositivos dc/dc e industria del automóvil.

· Certificación AEC Q101 (consulte la hoja de datos)
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