AEC-Q100 Memoria flash, CFI, Paralelo S29AL008J70TFI010 8Mbit, 1M x 8 bits, 512 K x 16 bits, 70ns, TSOP, 48 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTamaño de la Memoria
8Mbit
Tipo de Interfaz
CFI, Paralelo
Tipo de Encapsulado
TSOP
Conteo de Pines
48
Organización
1M x 8 bits, 512 K x 16 bits
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Organización de Bloques
Asymmetrical
Longitud
12.1mm
Altura
1.05mm
Ancho
18.5mm
Dimensiones del Cuerpo
18.5 x 12.1 x 1.05mm
Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
Series
S29AL
Número de Palabras
1M, 512k
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Número de Bits de Palabra
8 bit, 16 bit
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Estándar de automoción
AEC-Q100
País de Origen
United States
Datos del producto
Memoria Flash NOR en paralelo, Cypress Semiconductor
Altas prestaciones
Acceso aleatorio rápido y ancho de banda alto
Flash Memory
FLASH Memory IC is a non-volatile RAM that has to be written/erased in blocks. It does have a limited life in terms of number of write cycles and tends to be used for program storage that is infrequently changed.
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Tipo de montaje
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Tipo de Célula
NI
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
2.7 V
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Organización de Bloques
Asymmetrical
Longitud
12.1mm
Altura
1.05mm
Ancho
18.5mm
Dimensiones del Cuerpo
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Tiempo de Acceso Aleatorio Máximo
70ns
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Número de Palabras
1M, 512k
Mínima Temperatura de Funcionamiento
–40 °C
Número de Bits de Palabra
8 bit, 16 bit
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+85 °C.
Estándar de automoción
AEC-Q100
País de Origen
United States
Datos del producto
Memoria Flash NOR en paralelo, Cypress Semiconductor
Altas prestaciones
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