MOSFET Infineon IRLZ34NPBF, VDSS 55 V, ID 30 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
30 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
55 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
68 W
Configuración de transistor
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
8.77mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 51,53
€ 1,031 Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)
50
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Información de stock no disponible temporalmente.
50
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Tubo |
|---|---|---|
| 50 - 50 | € 1,031 | € 51,53 |
| 100 - 200 | € 0,803 | € 40,16 |
| 250 - 450 | € 0,752 | € 37,62 |
| 500 - 1200 | € 0,701 | € 35,03 |
| 1250+ | € 0,65 | € 32,49 |
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Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
35 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
68 W
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Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±16 V
Material del transistor
Si
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1
Carga Típica de Puerta @ Vgs
25 nC a 5 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
8.77mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
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MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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