MOSFET Infineon IRLML6401TRPBF, VDSS 12 V, ID 4,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 919-4713Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRLML6401TRPBF
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

4.3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

12 V

Series

HEXFET

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0.95V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Profundidad

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 5 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.02mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

País de Origen

Philippines

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal P, de 12 V a 20 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Información de stock no disponible temporalmente.

$ 264,55

$ 0,088 Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

MOSFET Infineon IRLML6401TRPBF, VDSS 12 V, ID 4,3 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000$ 264,55
6000$ 505,05
9000$ 709,47
12000$ 945,96
15000$ 1.182,45
18000$ 1.418,94
21000$ 1.655,43
24000$ 1.891,92
27000$ 2.128,41
30000$ 2.364,90
33000$ 2.601,39
36000$ 2.837,88
39000$ 3.074,37
42000$ 3.310,86
45000$ 3.547,35

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21000$ 1.655,43
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36000$ 2.837,88
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CantidadPrecio Unitario sin IVAPer Rollo
3000 - 3000$ 0,088$ 264,55
6000 - 6000$ 0,084$ 252,52
9000+$ 0,079$ 236,49

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SOT-23-5

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

50 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

0.95V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.4V

Disipación de Potencia Máxima

1.3 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Profundidad

1.4mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 5 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

1.02mm

Temperatura Mínima de Operación

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La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

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