MOSFET Infineon IRL520NPBF, VDSS 100 V, ID 10 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 541-1196Marca: InfineonNúmero de parte de fabricante: IRL520NPBFDistrelec Article No.: 30341391
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

100 V

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Series

LogicFET

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

48000 mW

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 5 V

Profundidad

4.69mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

10.54mm

Altura

8.77mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión. Y los factores de forma se pueden adaptar a casi cualquier disposición de placa y diseño térmico. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

MOSFET Transistors, Infineon

Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.

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Disponible en múltiplos de 1.

Producción -

Disponible en múltiplos de 1.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

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3€ 2,63
4€ 3,51
5€ 4,39
6€ 5,26
7€ 6,14
8€ 7,02
9€ 7,89
10€ 8,77
11€ 9,65
12€ 10,53
13€ 11,40
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CantidadPrecio Unitario sin IVA
1 - 24€ 0,88
25 - 49€ 0,78
50 - 99€ 0,73
100 - 249€ 0,69
250+€ 0,63

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Through Hole

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

180 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

48000 mW

Configuración de transistor

Single

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±16 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 5 V

Profundidad

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Material del transistor

Si

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1

Longitud

10.54mm

Altura

8.77mm

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Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N de 100 V, Infineon

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