Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
246 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
75 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
9.65mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
271 nC a 10 V
Altura
4.83mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
€ 28,56
€ 2,856 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Empaque de Producción (Rollo)
10
€ 28,56
€ 2,856 Each (Supplied on a Reel) (Sin IVA)
Información de stock no disponible temporalmente.
Empaque de Producción (Rollo)
10
Información de stock no disponible temporalmente.
Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Rollo |
---|---|---|
10 - 18 | € 2,856 | € 5,71 |
20 - 48 | € 2,574 | € 5,15 |
50 - 98 | € 2,32 | € 4,64 |
100+ | € 2,199 | € 4,40 |
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
N
Corriente Máxima Continua de Drenaje
246 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
75 V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
D2PAK (TO-263)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2.6 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
3.7V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.1V
Disipación de Potencia Máxima
375000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
9.65mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Número de Elementos por Chip
1
Longitud
10.67mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
271 nC a 10 V
Altura
4.83mm
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.2V
Datos del producto
MOSFET de potencia StrongIRFET™, Infineon
La familia StrongIRFET de Infineon está optimizada para capacidad de transporte de corriente baja RDS(on) y alta. Esta gama ofrece una resistencia dv/dt dinámica de avalancha y puerta mejorada ideal para aplicaciones de baja frecuencia industriales incluidos variadores de velocidad de motores, herramientas eléctricas, inversores y gestión de batería donde el rendimiento y la solidez son esenciales.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.