MOSFET Infineon IRF9335PBF, VDSS 30 V, ID 5,4 A, SOIC de 8 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

5.4 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOIC

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

59 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.4V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

2.5 W

Configuración de transistor

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,7 nC a 4,5 V, 9,1 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

4.98mm

Anchura

3.99mm

Material del transistor

Si

Series

HEXFET

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.57mm