MOSFET Infineon IRF7316TRPBF, VDSS 30 V, ID 4,9 A, SOIC de 8 pines, 2elementos, config. Aislado
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
InfineonTipo de Canal
P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
98 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
País de Origen
Thailand
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
MOSFET Transistors, Infineon
Infineon offers a large and comprehensive portfolio of MOSFET devices which includes the CoolMOS, OptiMOS and StrongIRFET families. They deliver best-in-class performance to bring more efficiency, power density and cost effectiveness. Designs requiring high quality and enhanced protection features benefit from AEC-Q101 industry standards Automotive qualified MOSFETs.
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€ 14,22
€ 0,711 Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)
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20
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| Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Per Pack |
|---|---|---|
| 20 - 80 | € 0,711 | € 14,22 |
| 100 - 180 | € 0,675 | € 13,50 |
| 200 - 480 | € 0,647 | € 12,95 |
| 500 - 980 | € 0,605 | € 12,10 |
| 1000+ | € 0,569 | € 11,38 |
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P
Corriente Máxima Continua de Drenaje
4.9 A
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30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Series
HEXFET
Tipo de Encapsulado
SOIC
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
98 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Tensión de umbral de puerta mínima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2000 mW
Configuración de transistor
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-20 V, +20 V
Profundidad
4mm
Material del transistor
Si
Número de Elementos por Chip
2
Longitud
5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
23 nC @ 10 V
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.5mm
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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Thailand
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MOSFET de potencia de canal P de 30 V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal P de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
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